عرض مشاركة واحدة
#1  
قديم 02-10-2012
نيروز غير متواجد حالياً
Saudi Arabia     Female
قـائـمـة الأوسـمـة
وسام الألفية العاشرة

المصمم المميز

وسام

لوني المفضل Dimgray
 رقم العضوية : 6
 تاريخ التسجيل : May 2010
 فترة الأقامة : 5118 يوم
 أخر زيارة : 07-01-2014 (09:19 AM)
 الإقامة : أَسْكُن اريَآف أبَي
 المشاركات : 13,261 [ + ]
 التقييم : 36
 معدل التقييم : نيروز is on a distinguished road
بيانات اضافيه [ + ]
افتراضي تعرف على هارد المستقبل .............. Ssd




تعرف على هارد المستقبل .
SSD



معلومات عن هارد المستقبل SSD

Solid-state drive

المستقبل .............. 800p.jpg


و يسمى بقرص الحاله الجامده
و يعتمد في حفظه للبيانات على ذاكره مثل الرام او الفلاش ميموري
بدون اي اجزاء متحركه
على عكس الهارد HDD


و من اهم مميزاته

1- السرعه في الوصول الى البيانات
2- قابليته لتحمل الصدمات
3- عدم اصدار اصوات
4- موفر في استهلاك الطاقه
5- عمر افتراضي اطول
6- تحمل درجات حراره اعلى تصل إلى 70 درجة مئوية
7- امكانية استخدامه كاقراص داخلية و خارجية


اما عيوبه
ثمنه غالي - صغر مساحاته

المستقبل .............. 36376460.jpg


فيديو يوضح الفرق بين القرص الصلب و قرص الحاله الجامده

[youtube]




نأتي الان الى أنواع الذاكرة المستخدمة في أقراص الحالة الجامده :
أقراص الحالة الثابتة بذاكرة فلاش (Flash Drives)

وهي تستخدم ذاكرة فلاش (التي لا تفقد البيانات المخزنة عليها عند انقطاع الطاقة عنها) لتخزين المعلومات

المستقبل .............. SLC-MLC2.jpg


نوع ذاكرة فلاش المستخدمة في هذه الأقراص هي NAND Flash ويوجد منها نوعان:
· أحادية (Single-Level Cell (SLC)) ويتم فيها تخزين 1 بت من البيانات لكل خلية واحدة ولذلك هي سريعة في القراءة و الكتابة كما ان التحكم بها أقل تعقيدا ولكن يعيبها ارتفاع سعرها لأننا في هذه الحالة سنحتاج كمية أكبر من هذه الذواكر
· متعددة (Multi-Level Cell(MLC)) ويتم تخزين 2 بت من البيانات أو أكثر لكل خلية واحدة ولذلك هي أبطأ في القراءة والكتابة كما ان التحكم بها أكثر تعقيدا وهذا النوع أرخص لأنه يتم تخزين كمية أكبر من البيانات لكل خلية ولذلك نحتاج الى كمية أقل من هذه الذواكر

أقراص الحالة الثابتة بذاكرة DRAM

وهي تستخدم ذاكرة DRAM لتخزين البيانات وهذه الذواكر تفقد جميع البيانات المخزنة عليها عند انقطاع الطاقة عنها ولذلك فان هذه الأقراص تستخدم مصدر للطاقة (بطاريات) بحيث عند انقطاع الطاقة عنها تقوم بحفظ جميع بياناتها على وحدة تخزين احتياطية وعند عودة الطاقة تسترد جميع بياناتها وتعمل من جديد
ما يميز هذه الأقراص هي السرعة الكبيرة للوصول الى البيانات

أكثر الأنواع انتشارا من أقراص الحالة الثابتة هي المعتمدة على ذاكرة فلاش وتتكون من:

· ذاكرة فلاش لتخزين البيانات
· ذاكرة وسيطة وهي تقوم بتسريع نقل البيانات بين المتحكم و منفذ SATA
· المتحكم (Controller) وهو قلب أقراص الحالة الثابتة وعليه يتحدد سرعة هذه الأقراص يقوم المتحكم بتقسيم شرائح ذاكرة فلاش الى مجموعات او قنوات ويتعامل مع كل قناة بشكل منفصل

تأتي هذه الأقراص بأحجام مختلفة ولكن المنتشر هو 2.5 بوصة و 1.8 بوصة وهذه هي نفس الأحجام المنتشرة في أجهزة الحاسب المحمولة لأن معظم هذه الأقراص موجه اساسا لهذه الفئة وذلك لسببين: الأول أن أقراص الحالة الثابتة تستهلك طاقة أقل من الأقراص الصلبة و الثاني أنها أقل تأثرا بالصدمات لأنها لا تحتوي على أجزاء ميكانيكية

ويتم توصيل هذه الأقرص بالحاسب غالبا عن طريق وصلات SATA


المستقبل .............. w6w200504131353376f6


كيف تعمل أقراص الحالة الثابتة؟

تتكون ذاكرة NAND Flash من ملايين من الخلايا وكل خلية ما هي الا نوع من أنواع الترانزوسورات يطلق عليه "الترانزوستور ذو البوابة العائمة" (Floating-Gate Transistor) ويتم تخزين البيانات داخل هذه الترنزوسترات

الترانزوستور ذو البوابة العائمة

يتكون من:
· بوابة التحكم (Control Gate)
· البوابة العائمة (Floating Gate) هذا هو الجزء من الترانزوستور الذى يتم فيه تخزين البتات (Bits) و هو مصنع من السيلكون او الجرامنيوم او الالمونيوم او مواد أخرى ويحيط به مادة عازلة من الأكسيد
· مادة عازلة من الاكسيد وجزء منها يشكل النفق الذي تعبر من خلاله الالكترونات

المستقبل .............. NAND Flash Cell.



تتم الكتابة عن طريق تعريض البوابة العائمة لفرق جهد (فولت)، عند هذه الحالة سيخترق الالكترون المادة العازلة المحيطة بالبوابة العائمة عن طريق خلق قناة ليمر فيها ويستقر داخل البوابة العائمة وهذا يسمى بالحقن الجرفي (Fowler-Nordheim (F-N) Tunneling) وبما أن البوابة العائمة معزولة فسيتم الحفاظ على هذا الالكترون داخلها لفترات طويلة (10 سنوات عند 125 درجة مئوية)

ولكي يتم اخراج الالكترونات يتم تعريض القناة الى فولت مناسب عندها سيتم انتقال الالكترونات خارج البوابة العائمة

الفولت الناشئ عن وجود الالكترونات داخل الخلية يشكل الشفرة الثنائية التى تمثل البيانات المخزنة
في الذاكرة المتعددة (Multi-Level Cell(MLS)) التي يتم تخزين 2 بت من البيانات أو أكثر لكل خلية يجب حساب الفولت الناشئ عن وجود الالكترونات داخل الخلية لكل شحنة بشكل دقيق لتحديد مقدار الشحنات (وبالتالي البيانات) الموجودة بالبوابة العائمة

عملية القراءة من الخلية تتم بتعريضها لفولت معين (غالبا منخفض) من احد الاتجاهات ثم قياس شدة التيار من الجانب الاخر للخلية ولايترتب على هذه العملية اي دخول او خروج للالكترونات ولذلك فان عملية القراءة أسرع بكثير من عملية الكتابة

عند وجود الالكترونات داخل الترانزستور فان التيار لن يمر من خلاله وهذه هي الحالة "0" وعند ازالة الالكترونات يصبح الترانزستور موصل للتيار وهذه هي الحالة "1"

المستقبل .............. NAND Flash Cell%

ملاحظة
هذه الترانزوستورات لها عدد مرات محدد من الكتابة واعادة الكتابة عليها (لأن المادة العازلة التي تحيط بالبوابة العائمة تضعف مع تزايد عدد مرات الكتابة (دخول وخروج الالكترونات) وبذلك تصبح غير قادرة على حفظ الالكترونات داخلها وبعدها تصبح غير صالحة للكتابة ولهذا العمر الافتراضي للذاكرة الأحادية (100.000 مرة كتابة او اعادة كتابة) اكبر من عمر الذاكرة المتعددة الكتابة (10.000 مرة كتابة او اعادة كتابة)

المتحكم (Controller)

المسؤول عن امداد فرق الجهد المناسب (وقراءته ثانية) لكي تتم عمليات القراءة والكتابة او مسح البيانات هو المتحكم (Controller) الموجود داخل القرص كما انه يقوم بتقسيم ذاكرة فلاش لأجزاء حتى يتعامل معها بسهولة وسرعة كما أنه المسؤول عن تنظيم عملية الكتابة واعادة الكتابة على القرص

جودة تصميم المتحكم يؤثر بشكل كبير على سرعة القرص وكذلك على العمر الافتراضي للقرص

أشهر مصنعي هذه المتحكمات Indilinx, Intel, Samsung, JMicron واللاعب الجديد Toshiba

الكتابة المتعددة وفقد البيانات

يتم تقسيم خلايا ذاكرة فلاش الى صفحات (Pages) والصفحة هي أصغر جزء يتم الكتابة عليها أوالقراءة منها وحجم هذه الصفحة في معظم الأقراص المعتمدة على الخلايا المتعددة الطبقات 4 كيلوبايت
كل مجموعة من الصفحات تتجمع لتشكل وحدة (Block) و تتكون الوحدة غالبا من 128 صفحة (128 * 4 = 512 كيلوبايت = 0.5 ميجابايت) والوحدة هي أصغر جزء يتم حذفه ،
لذلك في أقراص الحالة الثابتة يتم كتابة 4 كيلوبايت في المرة الواحدة ولكن يتم المسح بحجم 512 كيلو بايت في المرة الواحدة. أي انك اذا أردت ان تعيد كتابة 4 كيلوبايت على وحدة ممتلئة فلابد من مسح واعادة كتابة 512 كيلوبايت.

المستقبل .............. pageandblock.png


ذكرت سابقا أن خلايا ذاكرة فلاش لها عدد مرات محدد من الكتابة واعادة الكتابة عليها (عمر الذاكرة الأحادية (SLC) هو 100.000 مرة كتابة او اعادة كتابة و عمر الذاكرة المتعددة الكتابة (MLC) هو 10.000 مرة كتابة او اعادة كتابة) ولذلك وجب مراعاة طريقة وميعاد حذف واعادة الكتابة لكل خلية.

فعند الكتابة يقوم القرص بالبحث عن اقرب مكان فارغ ليحفظ عليه المعلومات ولا يقوم ابدا بمسح اي شئ (حتى لا يستهلك الخلايا) الا في حالة امتلاء القرص عن اخره

عندما يقوم المستخدم بحذف ملف ما لا يتم الحذف فعليا ولكن الحذف يتم فقط عند الحاجة الى اعادة الكتابة في نفس المكان (غالبا عند امتلاء القرص)

عند امتلاء القرص تبدأ عملية اعادة الكتابة وهي عملية بطيئة لانه قبل الكتابة يجب عليه مسح البيانات فعليا ثم الكتابة مرة اخرى (وتذكر انه في أقراص الحالة الثابتة يتم كتابة 4 كيلوبايت في المرة الواحدة ولكن يتم المسح بحجم 512 كيلو بايت في المرة الواحدة) وهذه العملية تؤدي الى بطء في التعامل مع القرص عند امتلاءه فعندما تريد مثلا ان تكتب 16 كيلوبايت الى وحدة (Block) ممتلئة فانه يتم نسخ بيانات كل الوحدة 512 كيلوبايت الى الذاكرة لقراءتها ثم استبدال 16 كيلوبايت منها بالبيانات الجديدة ثم حذف جميع محتويات الوحدة 512 كيلوبايت ثم اعادة كتابة محتويات الوحدة 512 كيلوبايت ثانية بال 16 كيلوبايت الجديدة ولك أن تتخيل بطء هذه العملية مقارنة بالقراءة مثلا او الكتابة على وحدة فارغة

هذا ما حدث للأجيال الأولى من هذه الأقراص فبعد فترة من استخدامها وعند امتلائها أصبحت هذه الأقراص بطيئة ولكن تم معالجة هذه المشكلة لاحقا ...تابع معي

ولذلك فان معدل الكتابة الذي يقوم بها القرص فعليا غالبا أعلى من معدل الكتابة الذي يقوم المستخدم العادي للقرص بكتابته وهذا يسمى معدل تضخم الكتابة (write amplification) في المثال السابق قام المستخدم بكتابة 16 كيلوبايت ولكن القرص قام فعليا بكتابة 512 كيلوبايت اي بمعدل 32 مرة اكبر من المطلوب (512/16 = 32) كلما كان هذا المعدل أقل كلما زاد عمر القرص الافتراضي

المستقبل .............. writeamplification2.

خفض معدل تلف خلايا الذاكرة (Wear Leveling)
متحكم القرص يقوم بتوزيع عمليات الحذف واعادة الكتابة بشكل عادل ومنظم على جميع الوحدات (Blocks) حتى يحافظ عليها لأطول فترة ممكنة كما أنه يتفادى الكتابة على الخلايا الميتة وهذا ما يطلق عليه "خفض معدل تلف خلايا الذاكرة" (wear leveling)

بفضل تطور متحكمات أقراص الحالة الصلبة المستمر أصبحت عملية توزيع الكتابة على القرص أفضل كثيرا من السابق وانعكس ذلك على عمر هذه الأقراص بالايجاب

الأجيال الأولى من هذه الأقراص لم تكن تقوم بتوزيع عمليات الكتابة والمسح بشكل جيد مما أدي الى تقليل العمر الافتراضي لها كثيرا، كما أدى الى تلف أجزاء كبيرة منها بسرعة كبيرة قبل الأجزاء الاخرى

المستقبل .............. w6w200504131353376f6


اذاً ما هو العمر الافتراضي لهذه الأقراص؟

الخلايا أحادية الطبقة تخزن 1 بت والممكن مسحها 100000 مرة أما الخلية المتعددة الطبقات التي تخزن 2 بت من الممكن مسحها 10000 مرة وبعد ذلك تصبح هذه الخلايا غير قابلة للكتابة مرة أخرى
حساب عمر هذه الأقراص هي عملية معقدة وتعتمد على عوامل كثيرة منها جودة المتحكم، معدل تضخم الكتابة، معدل تلف خلايا الذاكرة، معدل كمية البيانات التي يقوم المستخدم بكتابتها وغيرها فمثلا شركة انتل تعطي أقراصها 1.2 مليون ساعة قبل ان يتلف وتقدرها بحوالي 5 سنوات وبمعدل كتابة قدره حوالي 100 جيجابايت يوميا وهو عمر جيد جدا

بعد انتهاء العمر الافتراضي لهذه الأقراص ستصبح هذه الأقراص للقراءة فقط ولن تستطيع الكتابة عليها ثانية ولكن الخبر السار ان البيانات المخزنة عليها لن تضيع ومن الممكن استرجاعها بسهولة

المساحة الفارغة (Spare Area)

قبل دعم الأقراص للأمر TRIM كانت النصيحة بترك مساحة فارغة على هذه الأقراص تعادل من 10% الى 20% من مساحة القرص الفعلية حتى لا يحدث بطء في الكتابة عند امتلاء القرص بالبيانات وفي نفس الوقت تحتوي معظم الأقراص على مساحة فارغة غير مرئية للمستخدم أو لنظام التشغيل، يستخدمها القرص عند امتلاءه للكتابة حتى لا يحدث تراجع في الأداء فكلما زادت هذه المساحة زاد أداء هذه الأقراص

المستقبل .............. sparearea.png


اذا، كيف تغلب المصنعون على بطء الكتابة عند امتلاء القرص، الاجابة هي الأمر TRIM و Garbage Collection


الأمر TRIM

كثرة الكتابة على أقراص الحالة الصلبة يستهلكها ويقلل من عمرها الافتراضي
فعند الكتابة يقوم القرص بالبحث عن اقرب مكان فارغ ليحفظ عليه المعلومات ولا يقوم ابدا بمسح اي شئ (حتى لا يستهلك الخلايا) الا في حالة امتلاء القرص عن اخره. عندما يقوم المستخدم بحذف ملف ما لا يتم الحذف فعليا ولكن الحذف يتم فقط عند الحاجة الى اعادة الكتابة في نفس المكان (غالبا عند امتلاء القرص)

عند امتلاء القرص تبدأ عملية اعادة الكتابة وهي عملية بطيئة لانه قبل الكتابة يجب عليه مسح البيانات فعليا ثم الكتابة مرة اخرى


ولذلك جاء الأمر TRIM، فعندما يقوم المستخدم بحذف أي شيء يقوم نظام التشغيل بارسال الامر TRIM الى القرص بأن هذه البيانات جاهزة للمسح فعليا وعندها ينظم القرص نفسه لحذف هذه البيانات فعليا في الوقت المناسب ولذلك سيوجد دائما مكان فارغ ليتم الكتابة عليه ولا داعي للمسح ثم الكتابة.

هذا الأمر يسرع من أداء هذه الاقراص بشكل كبير خصوصا عند امتلاءها ولكن عملية حذف البيانات قد تصبح بطيئة الى حد ما كما انه لا يمكن استرجاع البيانات المحذوفة
هذا الأمر (TRIM) يجب ان يكون مدعوم من نظام النشغيل (ويندوز 7 يدعمه) ومن القرص نفسه
أنظمة التشغيل التي تدعم الأمر TRIM هي Windows 7 و Windows Server 2008 R2 و Linux Kernel 2.6.33

المستقبل .............. 101966ssdperf2.jpg


Garbage Collection

ما يتم هنا هو محاولة خلق مساحة فارغة عن طريق مسح البيانات فعليا والتي قام المستخدم بمسحها وتتم هذه العملية تلقائيا عندما يكون القرص في حالة خمول اي لا يقرأ ولا يكتب، بعض المتحكمات تتضمن هذه الخاصية بالاضافة لدعم الأمر TRIM والبعض الأخر لا يدعمها

المستقبل .............. garbagecollection.pn



تحدثنا عن المواصفات التقنية لهذه الأقراص وكيف استطاع الأمر TRIM أن يحسن أداء هذه الأقراص فلنتحدث الان عن أداء هذه الأقراص الفعلي
سيشعر مستخدم هذه الأقراص بتحسن كبير في زمن اقلاع الويندوز وكذلك سرعة تحميل البرامج التي قد تصبح لحظية!! وفي الألعاب سيتم تحميل المراحل والخرائط مثلا بسرعة كبيرة جدا وبوجه عام سيشعر مستخدم هذه الأقراص بتحسن في الأداء بنسبة تقترب من 50%

هذه الأقراص الهادئة (لا وجود لأجزاء متحركة)، المقاومة للصدمات، ذات استهلاك الطاقة المنخفض، مع هذا الأداء المرتفع، جعلها الاختيار الأمثل لأجهزة الحاسب المحمولة وجعل أكثر مستخدمي هذه الأجهزة يقوموا باستبدال أقراصهم الصلبة التقليدية بواحدة من هذه الأقراص الجديدة

المستقبل .............. kingston-SSD-storage


أهم عيوب هذه الأقراص هو السعر المرتفع..




ساعد في نشر والارتقاء بنا عبر مشاركة رأيك في الفيس بوك




juvt ugn ihv] hglsjrfg >>>>>>>>>>>>>> Ssd





رد مع اقتباس